Transistor di potenza LDMOS RFxL RF

I transistor di potenza LDMOS RFxL RF STMicroelectronics offrono prestazioni elevate per applicazioni multiple con diverse bande di frequenza. I transistor di potenza RF RFxL sono disponibili nei package B4E, B2 e LBB.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
110A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
20A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 100
Mult.: 100
Nastrati: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel