T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
Tipo
Stile di montaggio
Package/involucro
Tecnologia
P1dB - Punto di compressione
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Qorvo Amplificatori RF 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
Scheda dati
70010/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo Amplificatori RF 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
Scheda dati
N/A
Min: 1
Mult.: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle