Amplificatori driver GaN QPA0001

Gli amplificatori driver GaN   QPA0001 di Qorvo sono basati su QGaN15 da 0,15 µ m su processo SiC in un package QFN sovrastampato da 4 mm x 3 mm x 0,65 mm. Questi amplificatori sono caratterizzati da una gamma di frequenze operative da 8,5 GHz a 10,5 GHz, una potenza di uscita satura di 2 W, un'efficienza a potenza aggiunta del 50% e un guadagno di 27 dB a grande segnale. Gli amplificatori QPA0001 sono inoltre caratterizzati da una potenza di uscita di 33 dBm, un intervallo di temperatura operativa compreso tra -40°C e 85°C, una tensione di drain di 16 V e una corrente di drain di 55 mA. Questi amplificatori sono ideali per applicazioni commerciali, radar militari e per le comunicazioni.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro Tensione di alimentazione di lavoro Corrente di alimentazione operativa Guadagno Tipo Stile di montaggio Tecnologia Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
Qorvo Amplificatori RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 54A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo Amplificatori RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 250
Mult.: 250
Nastrati: 250

QPA0001 Reel