FET GaN con driver integrati LMG3100R0x

I FET LMG3100R0x in nitruro di gallio (GaN) di Texas Instruments con driver integrati sono FET GaN da 1,7 mΩ e driver con traslatore di livello high-side e bootstrap Due dispositivi LGM3100 possono essere utilizzati per formare un mezzo ponte senza la necessità di un traslatore di livello esterno. I componenti FET e driver GaN sono dotati di protezione integrata contro la sottotensione (UVLO) e di una funzione interna di limitazione della tensione di alimentazione bootstrap per prevenire il sovraccarico (>5,4 V).  L'LMG3100R0x di Texas Instruments offre un basso consumo energetico e un'interfaccia utente migliorata. L'LMG3100R017 è la soluzione ideale per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza, tra cui convertitori buck-boost, convertitori LLC, inverter solari, telecomunicazioni, azionamenti motore, utensili elettrici e amplificatori audio in classe D.