Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
6.260A magazzino
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1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.5 H, 700mO
Scheda dati
3.360A magazzino
4.00004/03/2026 previsto
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1.5 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.638A magazzino
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1.5 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.5 H, 700mO
Scheda dati
3.970A magazzino
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1.5 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8 UH 5%
Scheda dati
5.818A magazzino
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1.8 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
5.518A magazzino
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1.8 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.8 H, 850mO
Scheda dati
10.130A magazzino
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1.8 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
1.994A magazzino
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1.8 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.2 H, 1O
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7.865A magazzino
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2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.014A magazzino
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2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2 UH 10%
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6.248A magazzino
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2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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6.286A magazzino
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2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 1.0ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200
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84A magazzino
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2.2 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0603 2.7uH 5%
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6.940A magazzino
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2.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200
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668A magazzino
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2.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.7 UH 10%
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6.914A magazzino
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2.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0603 3.3uH 5%
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5.562A magazzino
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3.3 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
480A magazzino
8.00018/02/2026 previsto
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3.3 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
606A magazzino
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3.3 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.3 H, 1.3O
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5.737A magazzino
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3.3 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200
Scheda dati
4.000A magazzino
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3.3 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O
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5.407A magazzino
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3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
7.280A magazzino
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3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O
Scheda dati
4.990A magazzino
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Nastrati: 4.000
3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200
Scheda dati
3.100A magazzino
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Nastrati: 4.000

3.9 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200