Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 180 NH 5%
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24.291A magazzino
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180 nH 5 % 160 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 0.57ohms 500mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
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17.143A magazzino
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4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 0.2ohms 900mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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95.624A magazzino
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4.7 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.47uH 5% AEC-Q200
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17.357A magazzino
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470 nH 5 % 120 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10uH 504mohms 600mA 125C Wound Ferrite
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81.292A magazzino
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10 uH 10 % 450 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 0.1uH 0.02ohm 2.85A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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22.077A magazzino
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100 nH 20 % 2.85 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 192mohms 1.0A 125C Wound Ferrite
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42.340A magazzino
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3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori di potenza - SMD 4.7uH _ 40 +150 C AEC-Q200
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3.572A magazzino
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4.7 uH 20 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .1 UH 5%
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78.565A magazzino
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100 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 22uH 2.8ohms 160mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
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55.599A magazzino
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22 uH 10 % 160 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 47uH 2.132ohms 180mA Wound Ferrite
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174.873A magazzino
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47 uH 10 % 180 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 470nH 500mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200
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33.191A magazzino
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470 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2 UH 10%
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52.238A magazzino
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2.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO
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34.804A magazzino
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100 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD .47 UH 5%
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122.688A magazzino
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470 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 470nH 0.38ohms 600mA 5% 190MHz
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30.827A magazzino
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470 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 33uH 4.2ohms 120mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
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2.683A magazzino
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33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 0.8ohms 285mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
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1.500A magazzino
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4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 0.14ohms 1A 2.5x2.0mm AEC-Q200
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1.827A magazzino
2.00009/02/2026 previsto
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1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 15uH 0.56ohms 370mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
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7.436A magazzino
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15 uH 10 % 370 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 6.8uH 1.0ohms 275mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
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1.230A magazzino
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6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.15 H, 630mO
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4.897A magazzino
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150 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0.47uH 0.038ohm 2.0A 3.2x2.5mm AEC-Q200
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5.283A magazzino
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470 nH 20 % 2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 1.5uH 5% AEC-Q200
Scheda dati
14.189A magazzino
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1.5 uH 5 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.39uH 5% AEC-Q200
Scheda dati
9.112A magazzino
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Nastrati: 10.000

390 nH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200