Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-1R0M-EFR
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52A magazzino
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1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-2R2M-EF
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730A magazzino
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2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-330K-EF
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1.292A magazzino
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33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C
TDK Induttori RF - SMD 1uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200
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12.254A magazzino
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1 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200
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8.270A magazzino
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2.2 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22uH 2MHz 20% 1608 AEC-Q200
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3.187A magazzino
8.00018/02/2026 previsto
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22 uH 20 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.562A magazzino
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1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
4.052A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
Scheda dati
5.676A magazzino
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1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2.2uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
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7.220A magazzino
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2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 3.3uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
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5.518A magazzino
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3.3 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
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6.721A magazzino
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4.7 uH 20 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
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5.849A magazzino
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4.7 uH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200
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6.000A magazzino
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22 uH 20 % 220 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1 H, 500mO
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7.815A magazzino
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1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
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6.046A magazzino
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1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1 UH 10%
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6.722A magazzino
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1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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5.765A magazzino
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1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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3.375A magazzino
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1 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.2 UH 5%
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4.802A magazzino
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1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.554A magazzino
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1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO
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9.418A magazzino
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1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
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4.095A magazzino
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1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO
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2.793A magazzino
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1.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 0603 1.5uH 5%
Scheda dati
7.306A magazzino
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1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C