Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.12 H, 400mO
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120 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 120nH 400mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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120 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO
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150 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 180nH 500mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
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180 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.18 H, 500mO
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180 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 180nH 500mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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180 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.22 H, 550mO
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220 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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220 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 600mO
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270 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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330 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO
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390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200
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560 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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560 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-10% Fer AEC-Q200
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680 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200
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820 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 10 H, 1.7O
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10 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200
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12 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6 H, 1.1O
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5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O
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6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 8.2 H, 1.5O
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8.2 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.2 H, 350mO
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1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200