Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
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Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.12uH 10%
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120 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.18uH 10%
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180 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.27uH 10%
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270 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 0402 0.33uH 10%
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330 nH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 1.0uH 0.64ohms 40mA 290MHz Q=60 +/-5%
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1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.5 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.8 H, 850mO
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1.8 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.8uH 850mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.8 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.2 H, 1O
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2.2 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.7 H, 1.15O
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2.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2.7uH 1.15ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200
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2.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9 H, 1.45O
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3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 3.9uH 1.45ohms 30mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.9 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 1.6O
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4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 4.7uH 1.6ohms 30mA +/-20% Fer AEC-Q200
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4.7 uH 20 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 18 H, 1.6O
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18 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 22 H, 1.7O
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22 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 85 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 27 H, 1.8O
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27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 27uH 1.8ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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27 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 27 H, 1.8O
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27 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO
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100 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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100 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 120nH 400mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200
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120 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200