Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 560nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
3.146A magazzino
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560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .56 UH 10%
Scheda dati
8.026A magazzino
10.00025/02/2026 previsto
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560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD .56 UH 20%
Scheda dati
98A magazzino
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560 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD .68 UH 10%
Scheda dati
4.079A magazzino
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680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 680nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
Scheda dati
3.754A magazzino
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680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.68 H, 600mO
Scheda dati
1.576A magazzino
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680 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2012 0.82uH 5%
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2.000A magazzino
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820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
3.343A magazzino
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820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.780A magazzino
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820 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.82 H, 650mO
Scheda dati
1.652A magazzino
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820 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200
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1.975A magazzino
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820 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10 UH 5%
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4.718A magazzino
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10 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 10uH 800mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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2.417A magazzino
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10 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10 UH 10%
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7.855A magazzino
10.00030/03/2026 previsto
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10 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 10uH 800mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.721A magazzino
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10 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 10 UH 10%
Scheda dati
463A magazzino
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10 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 12 H, 900mO
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8.300A magazzino
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12 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 12uH 900mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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3.321A magazzino
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12 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 12 UH 10%
Scheda dati
3.062A magazzino
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12 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 6 UH 5%
Scheda dati
5.364A magazzino
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5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 5.6uH 600mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200
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3.689A magazzino
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5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 5.6 UH 10%
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3.970A magazzino
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5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 5.6uH 600mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.998A magazzino
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5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 5.6 UH 20%
Scheda dati
1.688A magazzino
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5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2012 6.8uH 5%
Scheda dati
7.211A magazzino
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6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C