Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.12 H, 200mO
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3.717A magazzino
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120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 120nH 200mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200
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249A magazzino
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120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.12 H, 200mO
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8.120A magazzino
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120 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.15 H, 200mO
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868A magazzino
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150 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 150nH 200mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1.909A magazzino
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150 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .15 UH 10%
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448A magazzino
8.00028/05/2026 previsto
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150 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 180nH 250mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.441A magazzino
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180 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.18 H, 250mO
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3.715A magazzino
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180 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.18 H, 250mO
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1.941A magazzino
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180 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 180nH 250mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200
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180 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2012 0.22uH 5%
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5.583A magazzino
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220 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 220nH 300mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200
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4.610A magazzino
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220 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .22 UH 20%
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4.572A magazzino
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220 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 220nH 300mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200
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3.873A magazzino
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220 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO
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9.840A magazzino
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270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 270nH 350mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.939A magazzino
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270 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO
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3.836A magazzino
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270 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.33 H, 400mO
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4.000A magazzino
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330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200
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330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .33 UH 10%
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13.622A magazzino
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330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD .39 UH 5%
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5.844A magazzino
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390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200
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4.648A magazzino
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390 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 390nH 450mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200
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380A magazzino
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390 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47 H, 500mO
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1.368A magazzino
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470 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 2012 0.56uH 5%
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3.565A magazzino
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560 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C