Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.18 H, 500mO
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6.081A magazzino
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180 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.22 H, 550mO
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6.460A magazzino
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220 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200
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5.762A magazzino
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220 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .22 UH 10%
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5.674A magazzino
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220 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 600mO
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6.005A magazzino
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270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200
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2.249A magazzino
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270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .27 UH 10%
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6.470A magazzino
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270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
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2.180A magazzino
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270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO
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519A magazzino
8.00026/05/2026 previsto
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330 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200
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2.697A magazzino
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330 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO
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20.975A magazzino
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330 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200
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1.629A magazzino
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330 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO
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1.150A magazzino
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330 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO
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3.769A magazzino
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390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200
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3.472A magazzino
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390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .39 UH 10%
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100A magazzino
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390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200
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512A magazzino
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390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200
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1.835A magazzino
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470 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200
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204A magazzino
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470 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200
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214A magazzino
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470 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200
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7.415A magazzino
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560 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .56 UH 10%
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17.487A magazzino
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560 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.56 H, 1.05O
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4.000A magazzino
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560 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O
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7.228A magazzino
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680 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-5% Fer AEC-Q200
Scheda dati
4.615A magazzino
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680 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200