Signal Inductors

TDK Signal Inductors are manufactured using state-of-the-art multilayer processing and wire-winding technologies. Its wire-winding technology uses a highly-effective closed magnetic circuit with ferrite particles of high permeability, to enable lower Rdc values and reduced energy consumption. TDK Signal Inductors are designed for use in a wide variety of applications, ranging from mobile devices and consumer electronics to various types of automotive equipment and systems.

Tipi di induttori, valvole e bobine
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Induttanza
Tolleranza
Corrente CC massima
Stile di terminazione
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
TDK Induttori RF - SMD 0603 4.7uH 5%
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4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 1.6O
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14.776A magazzino
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4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 15 UH 10%
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15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 15uH 1.5ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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4.907A magazzino
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15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 15 H, 1.5O
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15 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 15uH 1.5ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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15 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 18 H, 1.6O
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18 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 18uH 1.6ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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18 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 18uH 1.6ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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18 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22 UH 10%
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22 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 22uH 1.7ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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22 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 22uH 1.7ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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22 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 33 UH 10%
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33 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 33uH 2.2ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200
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33 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 33 H, 2.2O
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33 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 33uH 2.2ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200
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33 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 47nH 200mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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47 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 68nH 300mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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68 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.082 H, 300mO
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82 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 82nH 300mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200
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82 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD .1 UH 5%
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7.920A magazzino
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100 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200
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100 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200
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602A magazzino
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100 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Induttori RF - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.12 H, 400mO
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3.538A magazzino
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120 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Induttori RF - SMD 120nH 400mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200
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6.928A magazzino
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120 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200