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STMicroelectronics Ultime novità per Transistor

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Tipi di Transistor

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STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

10/28/2025

- Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2P45M12W2-1LA

09/26/2025

- Offre una topologia a sei pacchetti con NTC per lo stadio del convertitore CC/CC del caricatore a bordo dei veicoli elettrici.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA

09/26/2025

- Dispone di una topologia trifase PFC 4-wire con NTC integrato per l'OBC in veicoli elettrici e ibridi.

STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.

STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo

12/24/2024

- Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

07/22/2024

- 800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- 1.200 V, 40 A, bassa perdita, offre bassa resistenza termica ed è disponibile in un package con cavi lunghi TO-247.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

12/01/2023

- I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A

10/31/2023

- Progettato con un’avanzata struttura trench-gate field-stop.

STMicroelectronics Nodulo di potenza ACEPACK DMT M1F45M12W2-1LA

10/19/2023

- Progettati per lo stadio del convertitore CC/CC dei veicoli ibridi ed elettrici.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione.

STMicroelectronics MOSFET di potenza SH63N65DM6AG

08/18/2023

- MOSFET di potenza con DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Il dispositivo utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata.

STMicroelectronics IGBT STGSH80HB65DAG serie 650 V 80 A HB

03/24/2023

- Presenta due IGBT e diodi in un package compatto e robusto a montaggio superficiale.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6

01/25/2023

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione con protezione Zener e valanga al 100%.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione progettati utilizzando la recente tecnologia MDmesh K6.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura trench gate migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET F8 a canale N STL320N4LF8

06/21/2022

- Prodotto con la tecnologia trench MOSFET STripFET F8.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

05/27/2022

- Per tensione media/alta con RDS(on) molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9

05/25/2022

- Progettati per MOSFET di media/alta tensione con RDS(on) molto bassa per area.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6

05/04/2022

- Presenta eccellente RDS(on) x area e di un basso Qg, consentendo velocità di commutazione elevate e basse perdite.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

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