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Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Diodes Incorporated Raddrizzatori planari iperveloci DTHP60B07PT da 60 A

03/13/2026

- Presenta una tensione inversa di 650 V, una bassa caduta di tensione diretta e un tempo di recupero inverso ultraveloce.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated Soppressore di tensione transitoria 5.0SMCJ1xCA 5000W

10/31/2025

- Diodo TVS ad alta potenza progettato per proteggere i circuiti elettronici sensibili dai picchi di tensione.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated Raddrizzatore a recupero rapido passivato in vetro DTH1006P5

10/13/2025

- Raddrizzatore con tensione inversa ripetitiva di picco (VRRM) di 600 V in un package PowerDI®5 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari PNP DXTP80x

09/18/2025

- I transistori bipolari PNP offrono un fattore di forma piccolo, con un package PowerDI 3333-8 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrono un package PowerDI 3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, per prodotti ad alta densità.

Diodes Incorporated Transistori bipolari DXTN/P 78Q & 80Q

07/24/2025

- Offrono una tensione nominale di 30 V, 60 V e 100 V, con un'efficienza di conduzione eccezionale e prestazioni termiche elevate.

Diodes Incorporated Raddrizzatori a ponte TT8M 8 A in vetro passivi

05/01/2025

- Dotati di una tensione inversa di picco massima ripetitiva di 1.000 V e di una corrente di uscita media raddrizzata di 8 A.

Diodes Incorporated Diodi Schottky al carburo di silicio DSCxA065LP

02/20/2025

- Presenta una superiore stabilità della dispersione inversa ad alte temperature in un package DFN8080.

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

11/14/2024

- Dispone di una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10/01/2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08/01/2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated Serie di diodi TVS a bassa capacità a 2 canali DT1042-02SRQ

07/01/2024

- Progettato per proteggere i componenti elettronici sensibili dai danni causati da ESD.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx 1.200 V

06/24/2024

- Progettato per minimizzare la resistenza in stato attivo e mantenere eccellenti prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated Raddrizzatori in vetro passivati AEC-Q101 SxCMHQ

06/04/2024

- Offrono elevate capacità di corrente elevata e bassa caduta di tensione diretta.

Diodes Incorporated Protettore di bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ 24 V

06/01/2024

- Dispositivo di protezione da sovratensione e ESD, con package compatto SOT23 per montaggio superficiale.

Diodes Incorporated Transistor di potenza BC53-16PAWQ 80 V PNP di potenza media

05/01/2024

- Disponibile in un package compatto DFN2020-3 il cui ingombro è inferiore del 50% rispetto a un package SOT-23.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04/01/2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated Raddrizzatore ultra-veloce US1NDFQ 1 A per montaggio superficiale

03/01/2024

- Offre un tempo di recupero ultra-veloce per un'alta efficienza nelle applicazioni di rettifica in generale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale unidirezionale a 2 canali DESDxxVxS2UTQ

01/01/2024

- Progettato per proteggere l'elettronica sensibile dai danni causati dall'ESD.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza SiC a Canale-N DMWS120H100SM4 1200 V

06/02/2023

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e mantenere prestazioni di commutazione superiori.

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Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Bourns Diodo TVS montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q

05/12/2026

- Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™

05/06/2026

- I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Capacità di potenza di picco dell'impulso pari a 5.000 W, utilizzando una forma d'onda da 10/1000 µs e con dissipazione di potenza di 6,5 W.

Littelfuse Diodi TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.

Littelfuse SJx08x SCR ad alta temperatura

04/24/2026

- Tensione fino a 800 V, capacità di corrente di picco fino a 100 A e temperatura nominale di +150 °C.

Littelfuse Triac alternistore ad alta temperatura QVx35xHx

04/24/2026

- Offre una corrente nominale 35 A ed è disponibile nei pacchetti TO-220AB TO-220 isolati e TO-263.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04/24/2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 1.000 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04/02/2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04/02/2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04/02/2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies Diodi multiuso per la protezione ESD

03/27/2026

- Questi diodi offrono prestazioni ESD superiori garantendo la massima protezione in un ingombro ridotto.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

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