Filtri applicati:
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10/17/2025
10/17/2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08/21/2025
08/21/2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA
07/14/2025
07/14/2025
Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.
ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 MOSFET di potenza SiC a canale N
11/27/2023
11/27/2023
Presenta una tensione nominale drain-source di 750 V e una drain current continua di 31 A (+25°C).
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza AEC-Q101 canale N in carburo di silicio (SiC) SCT4062KWAHR
08/03/2023
08/03/2023
Presenta una tensione nominale drain-source di 1.200 V e una corrente di drain continua di 24 A (a +25°C).
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC a canale N di 4a generazione
03/16/2023
03/16/2023
Forniscono basse resistenze in conduzione con miglioramenti nel tempo di resistenza a cortocircuito.
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Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12/19/2025
12/19/2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12/04/2025
12/04/2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10/17/2025
10/17/2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V
10/09/2025
10/09/2025
Offrono prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità.
Microchip Technology MOSFET SIC di 1.200 V
09/25/2025
09/25/2025
I MOSFET offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta con velocità di commutazione elevata.
IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx
09/19/2025
09/19/2025
Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].
IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V
08/27/2025
08/27/2025
Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08/21/2025
08/21/2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08/08/2025
08/08/2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA
07/14/2025
07/14/2025
Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.
Littelfuse MOSFET di potenza SiC IXSJxN120R1 da 1.200 V
06/23/2025
06/23/2025
Dispositivi ad alte prestazioni progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2
06/03/2025
06/03/2025
MOSFET qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale con una resistenza massima drain-source di 78mΩ.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
05/22/2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V
04/17/2025
04/17/2025
Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.
IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02/20/2025
02/20/2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02/20/2025
02/20/2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02/18/2025
02/18/2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
SemiQ Dispositivi discreti MOSFET SiC GEN3 1.200 V
01/02/2025
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09/06/2024
09/06/2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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