MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I MOSFET SiC N-Channel da 750 V di ROHM Semiconductor possono aumentare la frequenza di commutazione, riducendo così il volume dei condensatori, dei reattori e degli altri componenti richiesti. Questi MOSFET SiC sono disponibili nei PackageTO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. I dispositivi hanno una valutazione drain-source statica resistenza in stato attivo [RDS(on)] (tip.) da 13 mΩ a 65 mΩ e drain continuo (ID) e source current (IS) (TC=25°C) da 22 A a 120 A. Questi MOSFET SiC da 750 V di ROHM Semiconductor offrono alte tensioni di sopportazione, bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, sfruttando le caratteristiche uniche della tecnologia SiC.

Risultati: 23
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Scheda dati
2.008A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Scheda dati
635A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Scheda dati
375A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
Scheda dati
402A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Scheda dati
1.946A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 120A SIC
Scheda dati
1.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 80A SIC
Scheda dati
500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Scheda dati
450A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Scheda dati
430A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
Scheda dati
700A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 26A SIC
Scheda dati
784A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 61A SIC
Scheda dati
100A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Scheda dati
1.460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Scheda dati
3.032A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
Scheda dati
615A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 98A N-CH SIC
Scheda dati
344A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Scheda dati
588A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Scheda dati
321A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 37A SIC
Scheda dati
8A magazzino
2.00017/07/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TOLL 750V 46A SIC
Scheda dati
2.00016/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Scheda dati
45014/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Scheda dati
45014/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
Scheda dati
1.00014/05/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
Nastrati: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement