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Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1035
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1035
09/12/2024
GaN discreto 40 W su HEMT SiC che opera da CC a 6 GHz con un’alimentazione 50 V.
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Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V
Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V
07/03/2025
Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).
Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
Questi FET sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL e utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN®.
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V
05/02/2025
Progettati per funzionare ad alte frequenze con efficienza superiore, consentendo una commutazione ultraveloce.
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA
04/14/2025
FET HEMT GaN bidirezionale da 40 V, 8,0 mΩ alloggiato in un compatto package WLCSP da 1,7 mm x 1,7 mm.
Infineon Technologies Transistori G3 CoolGaN™
Infineon Technologies Transistori G3 CoolGaN™
04/10/2025
progettati per offrire prestazioni superiori in applicazioni che richiedono elevata densità di potenza.
ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
01/10/2025
Progettati per applicazioni ad alta efficienza nella conversione di potenza.
Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
12/20/2024
Utilizza la tecnologia dei transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza.
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ Gen 2 da 650 V
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ Gen 2 da 650 V
11/12/2024
È dotato di tecnologia a transistor GaN ad alta efficienza per la conversione di potenza fino a 650 V.
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA
10/01/2024
Un transistor ad alta mobilità elettronica GaN bi-direzionale da 40 V, 4,8 mΩ in un package WLCSP.
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1035
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1035
09/12/2024
GaN discreto 40 W su HEMT SiC che opera da CC a 6 GHz con un’alimentazione 50 V.
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
07/23/2024
Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.
Nexperia FET GANE3R9-150QBA al nitruro di gallio (GaN)
Nexperia FET GANE3R9-150QBA al nitruro di gallio (GaN)
07/02/2024
Un FET generico da 150 V, 3,9 mΩ al nitruro di gallio (GaN) in un package VQFN.
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G4 da 700 V
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G4 da 700 V
05/27/2024
Progettati con un basso Rth(j-c)per applicazioni ad alta potenza e commutazione di potenza altamente efficiente.
Renesas Electronics FET SuperGaN® da 650 V TP65H050G4YS
Renesas Electronics FET SuperGaN® da 650 V TP65H050G4YS
03/15/2024
Dispositivo da 50 mΩ in nitruro di gallio (GaN), normalmente spento, disponibile nel package TO-247 a 4 pin.
Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V in TOLT
Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V in TOLT
02/22/2024
72 mΩ RDS(on) in package TOLT con raffreddamento superiore, montaggio superficiale, conforme allo standard JEDEC (MO-332).
Nexperia FET GaN di potenza in package GAN039 CCPAK1212
Nexperia FET GaN di potenza in package GAN039 CCPAK1212
12/20/2023
Tecnologia del package con clip in rame con basse induttanze/perdite di commutazione e alta affidabilità.
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