Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
I transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A di Qorvo sono transistori ad alta mobilità elettronica (HEMT) discreti in nitruro di gallio (GaN) su carburo di silicio (SiC) da 15 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz su un rail di alimentazione da 50 V. Una rete di adattamento di ingresso integrata consente un guadagno e prestazioni di potenza a banda larga, mentre l'uscita può essere adattata a bordo per ottimizzare potenza ed efficienza in qualsiasi regione all'interno della banda. I transistori QPD1014A di Qorvo sono alloggiati in un package SMT senza piombo di 6 mm x 5 mm x 0,85 mm che consente di risparmiare spazio nelle radio portatili già vincolate da vincoli di spazio.
