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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12/19/2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12/19/2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12/04/2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
12/01/2025
Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
11/25/2025
Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11/25/2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
11/20/2025
Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
11/20/2025
Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11/19/2025
Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
11/19/2025
MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
11/19/2025
MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
10/31/2025
Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
10/31/2025
Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.
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