Toshiba N-Channel/P-Channel Power MOSFETs
03/31/2026
03/31/2026
Ideal for high-speed switching, power management switches, DC-DC converters, and motor drivers.
Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
10/17/2025
10/17/2025
Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).
Toshiba MOSFET a canale N L-TOGL e S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V
10/14/2024
10/14/2024
Alloggiati nel package L-TOGL™ per soddisfare la crescente domanda di batterie da 48 V nelle apparecchiature del settore automobilistico.
Toshiba MOSFET a canale N in silicio TKx
09/13/2024
09/13/2024
Disponibile nei modelli U-MOSX-H e DTMOSVI, offre caratteristiche prestazionali eccezionali.
Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5
09/10/2024
09/10/2024
Presenta un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con un processo Trench di generazione U-MOSX-H.
Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5
08/12/2024
08/12/2024
Dotato di un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con il processo U-MOS HX Trench di ultima generazione.
Toshiba MOSFET a canale N in silicio UMOS9-H
05/13/2024
05/13/2024
Ideale per convertitori CC-CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione e driver motore .
Toshiba MOSFET SSM14N956L
06/09/2023
06/09/2023
Dotato di bassa resistenza di conduzione sorgente-sorgente e compatibile RoHS.
Toshiba MOSFET per il settore automobilistico da 40 V 400 A XPQR3004PB
02/13/2023
02/13/2023
Offre una RDS(ON) di 0,23 mΩ (tipica) e una tensione di soglia (Vth) da 2 V a 3 V, con capacità di 400 A.
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iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
04/06/2026
Dual N-channel MOSFET designed with low Rg for fast switching applications.
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
03/31/2026
03/31/2026
Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.
Toshiba N-Channel/P-Channel Power MOSFETs
03/31/2026
03/31/2026
Ideal for high-speed switching, power management switches, DC-DC converters, and motor drivers.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
03/27/2026
03/27/2026
Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
03/27/2026
03/27/2026
Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8
03/17/2026
03/17/2026
Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
03/13/2026
03/13/2026
Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
03/05/2026
03/05/2026
Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02/19/2026
02/19/2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
02/02/2026
02/02/2026
Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12/19/2025
12/19/2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11/25/2025
11/25/2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
11/25/2025
11/25/2025
Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
11/20/2025
11/20/2025
Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
11/20/2025
11/20/2025
Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.
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