MOSFET X-H U-MOS a canale N da 80 V

I MOSFET X-H U-MOS a canale N da 80 V di Toshiba offrono commutazione ad alta velocità, una piccola carica del gate e bassa dissipazione di potenza. I MOSFET X-H U-MOS offrono un'eccellente resistenza in conduzione drain-source (RDS(on)) x resistenza di trasmissione x capacità di ingresso (Ciss) che porta ad alta conduttività e basse perdite del gate driver. La capacità di uscita ridotta (COSS) riduce la carica di uscita (QOSS), aumentando l'efficienza di commutazione di questi dispositivi. Questi MOSFET sono adatti per regolatori di tensione di commutazione, unità di azionamento motore e convertitori CC-CC ad alta efficienza.

Risultati: 11
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
Scheda dati
894A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Scheda dati
4.465A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
Scheda dati
5.912A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
Scheda dati
71A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Scheda dati
7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
Scheda dati
268A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
Scheda dati
488A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
Scheda dati
129A magazzino
10.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
Scheda dati
435A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Scheda dati
15A magazzino
20.000In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
Scheda dati
15020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube