Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Produttore = Micro Commercial Components (MCC) Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03/12/2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Micro Commercial Components (MCC) SMB15J33CAHE3 TVS Diode

07/14/2025

- 1500W bidirectional diode designed to protect sensitive electronics from high‑energy voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04/16/2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) BSS84AK MOSFET

04/10/2025

- Small-signal P-channel MOSFET designed with efficient switching performance.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02/12/2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02/12/2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02/12/2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02/07/2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01/02/2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) MCG085P10 Power MOSFET

01/01/2025

- P-channel power MOSFET designed using Trench power LV MOSFET technology.

Micro Commercial Components (MCC) CSPHSBULC5V0LB ESD Protection Diode

01/01/2025

- Compact snap-back ESD protection device that comes in an ultra‑small CSP1006‑2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12/30/2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12/30/2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200 V IGBT con arresto di campo a trench

11/28/2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCTL2D0N10YHR a canale N 100 V

11/25/2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11/22/2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Diodi ESD a capacità ultra bassa

11/15/2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11/04/2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET di potenza Super Junction a canale N da 600 V

10/04/2024

- Presentano bassa resistenza in conduzione, bassa perdita di conduzione e commutazione graduale con diodo a recupero inverso rapido.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET di potenza Super-Junction a canale N MCU1K4N95SH

10/03/2024

- Presentano una bassa carica gate-to-drain, riducendo le perdite di conduzione e amplificando l’efficienza complessiva.

Micro Commercial Components (MCC) Dispositivi di protezione ESD automobilistici ESDULX

09/27/2024

- Progettati per una singola linea di dati o di alimentazione, offrono prestazioni eccezionali per le applicazioni moderne.

Micro Commercial Components (MCC) Diodo TVS SM6S24AHE3

09/18/2024

- Progettato per la protezione costante da sovratensioni in un package DO-218AB-2 compatto.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET a canale N MCGL2D1N03YL

09/04/2024

- MOSFET di potenza da 30 V, progettato per offrire buone prestazioni termiche con basse perdite di potenza.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SICW0x a canale N SiC da 1.200 V

09/03/2024

- Amplifica le prestazioni in package versatili TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB.

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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05/12/2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Littelfuse Diodi TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Capacità di potenza di picco dell'impulso pari a 5.000 W, utilizzando una forma d'onda da 10/1000 µs e con dissipazione di potenza di 6,5 W.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04/24/2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse SJx08x SCR ad alta temperatura

04/24/2026

- Tensione fino a 800 V, capacità di corrente di picco fino a 100 A e temperatura nominale di +150 °C.

Littelfuse Triac alternistore ad alta temperatura QVx35xHx

04/24/2026

- Offre una corrente nominale 35 A ed è disponibile nei pacchetti TO-220AB TO-220 isolato e TO-263.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 1.000 V.

Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x

04/07/2026

- Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04/02/2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04/02/2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04/02/2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies Diodi multiuso per la protezione ESD

03/27/2026

- Questi diodi offrono prestazioni ESD superiori garantendo la massima protezione in un ingombro ridotto.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03/24/2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU

03/20/2026

- BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.

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