Ultime novità per Transistor bipolari - BJT

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onsemi Transistori PNP per uso generico NST807

03/03/2025

- Transistor affidabili e ad alte prestazioni con bassa tensione di saturazione e velocità di commutazione elevate.

onsemi Transistori NPN per uso generico NST817

03/03/2025

- Una soluzione affidabile per progetti di circuiti che richiedono un funzionamento dei transistor efficiente ed efficace.

onsemi transistore bipolare NSVT5551M

01/04/2025

- Amplificatore AEC-Q101 qualificato, NPN per uso generale con basso VCE(sat).

onsemi Transistor a bassa VCE (sat) per uso generico NSS100xCL

12/20/2024

- High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.

onsemi MJD31C transistori bipolari

11/16/2024

- Progettati per amplificatori per uso generale e applicazioni di commutazione a bassa velocità.

onsemi Transistor PNP NST856MTWFT

10/22/2024

- Dispositivi da 65 V e 100 mA progettati per applicazioni di amplificatori per uso generico.

onsemi Transistor PNP di media potenza BCP53M

10/18/2024

- Progettato per applicazioni di amplificatori per uso generico ed è alloggiato nel package DFN2020-3.

onsemi Transistor di media potenza NPN BCP56M

10/18/2024

- Progettato per applicazioni di amplificatori per uso generico ed è alloggiato nel package DFN2020-3.

onsemi Transistor bipolari BC846BPDW1

10/17/2024

- Progettati per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza alloggiate nel package SOT-363/SC-88.

onsemi Transistori bipolari NSS40300CT

10/07/2024

- Presentano una bassa tensione di saturazione VCE(sat) e un'elevata capacità di guadagno di corrente.

onsemi Transistor NPN NST846MTWFT

10/07/2024

- Funziona a 65 V, 100 mA ed è progettato per applicazioni di amplificatori per uso generico.

onsemi Transistor di potenza bipolare NSV1C300CT

10/04/2024

- Presenta una bassa tensione di saturazione VCE(sat) e un elevato guadagno di corrente.

onsemi Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

07/01/2024

- Questi SMD sono caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa (VCE(sat)) e da un'elevata capacità di guadagno di corrente.

onsemi Transistor a bassa VCE e per uso generico MSD1819A-R

01/30/2024

- Progettati per uso generico in applicazioni di amplificazione con bassa VCE < 0,5 V.

onsemi Transistor di potenza bipolare NSV40301MZ4

12/29/2023

- Combinazione di transistor NPN a bassa tensione di saturazione e guadagno elevato a basso VCE (sat).

onsemi Transistor per uso generico MJK44H11T

02/10/2023

- Progettati per soddisfare le esigenze di una vasta gamma di applicazioni di potenza e commutazione.

onsemi Transistor a bassa VCE (sat) e per uso generico MJK31CT

02/10/2023

- Ideali per applicazioni di commutazione e alimentazione in vari settori.

onsemi Transistor bipolari NPN NST160xCL 160 V 1,5 A

04/09/2022

- Transistor a giunzione bipolare caratterizzato da alta corrente, bassa tensione di saturazione e commutazione ad alta velocità.

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Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated Transistori bipolari PNP DXTP80x

09/18/2025

- I transistori bipolari PNP offrono un fattore di forma piccolo, con un package PowerDI 3333-8 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrono un package PowerDI 3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, per prodotti ad alta densità.

Nexperia Transistori bipolari a giunzione (BJT) MJPEx

08/26/2025

- Il package CFP15B offre un'alternativa compatta ed economica alla serie MJD nel package DPAK.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza 2SAR579D3 PNP 1,5 A 160 V

08/06/2025

- Il transistor di potenza ha un basso VCE(sat) ed è adatto come amplificatore a bassa frequenza.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza NPN 1,5 A 160 V 2SCR579D3

08/06/2025

- Un transistor di potenza con bassa VCE(sat) e adatto come amplificatore a bassa frequenza.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07/10/2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

05/15/2025

- Features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH.

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

03/05/2025

- Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.

onsemi Transistori PNP per uso generico NST807

03/03/2025

- Transistor affidabili e ad alte prestazioni con bassa tensione di saturazione e velocità di commutazione elevate.

onsemi Transistori NPN per uso generico NST817

03/03/2025

- Una soluzione affidabile per progetti di circuiti che richiedono un funzionamento dei transistor efficiente ed efficace.

Diotec Semiconductor BC817K General-Purpose NPN Transistor

01/31/2025

- AEC-Q101-qualified device with three current-gain selections, ideal for signal processing use.

Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor

01/13/2025

- Features two complementary transistors in 1 package, ideal for signal processing and amplification.

Diotec Semiconductor BCX56 SMD General-Purpose NPN Transistor

01/13/2025

- Offers high collector current, low saturation voltage, and two current gain groups.

onsemi transistore bipolare NSVT5551M

01/04/2025

- Amplificatore AEC-Q101 qualificato, NPN per uso generale con basso VCE(sat).

Nexperia Transistor PNP BC5xPAS-Q 1 A di media potenza

12/30/2024

- Transistor PNP con certificazione AEC-Q101 in un package plastico SMD DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra sottile e senza piombo.

onsemi Transistor a bassa VCE (sat) per uso generico NSS100xCL

12/20/2024

- High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.

Nexperia Transistor di potenza BC869-Q

12/11/2024

- Transistor PNP di media potenza in un package plastico SOT89 (SC-62) a media potenza e terminali piatti.

onsemi MJD31C transistori bipolari

11/16/2024

- Progettati per amplificatori per uso generale e applicazioni di commutazione a bassa velocità.

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

11/14/2024

- Dispone di una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse.

onsemi Transistor PNP NST856MTWFT

10/22/2024

- Dispositivi da 65 V e 100 mA progettati per applicazioni di amplificatori per uso generico.

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