Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

I transistor onsemi e2PowerEdge Low VCE(sat) sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa (VCE(sat)) e da un'elevata capacità di guadagno di corrente. Questi sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta velocità e bassa tensione, dove è essenziale un controllo dell'energia efficiente e conveniente. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC e risparmio energetico in prodotti portatili e alimentati a batteria come telefoni cellulari e senza fili, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali e lettori MP3. Altre applicazioni sono controlli motore a bassa tensione in prodotti di archiviazione di massa come unità disco e a nastro. Possono essere utilizzati per l’installazione di airbag e per i cluster di strumenti nel settore automobilistico. L’alto guadagno di corrente consente ai dispositivi Onsemi e2PowerEdge di essere pilotati direttamente dalle uscite di controllo PMU e il guadagno lineare (Beta) li rende i componenti ideali negli amplificatori analogici.

Risultati: 23
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Corrente CC massima collettore Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione base-collettore VCBO Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Qualifica Serie Confezione
onsemi Transistor bipolari - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8 14.347A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN Dual 3 A 40 V 40 V 6 V 82 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40301MD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive 10A magazzino
6.00001/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

LFPAK-4 NSS1C301CT Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP 3.515A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300DD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP 2.356A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300MD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP 2.988A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

LFPAK-4 NSS40301CT Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A 5.886A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN, PNP Dual 3 A 40 V 40 V 6 V, 7 V 82 mV, 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40302PD Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 2.800A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN3 PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 400 mV 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A 80A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

LFPAK-4 NSS1C301CT Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR 2.980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN6 Dual 20 V 20 V 250 mV NSS20200DM Reel, Cut Tape

onsemi Transistor bipolari - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A 706A magazzino
21.00023/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 2 A 60 V 80 V 7 V 180 mV 540 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS60200LT1G Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) 2.900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN6 NPN Single 60 V 60 V 6 V 115 mV 1.8 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS60201SMT Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR 2.980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN6 Dual 20 V 20 V 250 mV AEC-Q101 NSS20200DM Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR 2.960A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-6 NPN Dual 20 V 20 V 7 V 330 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS20201DM Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive 2.985A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
LFPAK-4 NSS40301CT Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT COMP 40V NPN/PNP LO 5A magazzino
32.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 NPN, PNP Dual 3 A 40 V 40 V 6 V, 7 V 82 mV, 135 mV 653 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS40302P Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA 488A magazzino
6.00027/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN6 NPN Dual 1 A 60 V 60 V 6 V 200 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS60101DMT Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
6.00020/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT NPN Single 1 A 60 V 60 V 6 V 130 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS60101DMT Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor bipolari - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
9.00024/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 2 A 60 V 80 V 7 V 170 mV 460 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 NSS60200LT1G Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR 9.000Disponibile a magazzino presso produttore
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-6 NPN Dual 20 V 20 V 7 V 330 mV 2.27 W 180 MHz - 55 C + 150 C NSS20201DM Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP 4Disponibile a magazzino presso produttore
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN6 PNP Dual 60 V 60 V 6 V 365 mV 1.8 W 155 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS60200DM Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE Tempo di consegna, se non a magazzino 33 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT WDFN-3 PNP Single 12 V 12 V 5 V 30 mV 740 mW 200 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor bipolari - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SOIC-8 PNP AEC-Q100 NSS40300MD Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT) Tempo di consegna, se non a magazzino 37 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

Si SOIC-8 AEC-Q101 NSS40301MD Reel