Tipi di Transistor
Filtri applicati:
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X
04/14/2026
04/14/2026
Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
04/10/2026
04/10/2026
I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
04/06/2026
04/06/2026
MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.
Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V
04/02/2026
04/02/2026
Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.
Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P
03/31/2026
03/31/2026
Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
03/31/2026
03/31/2026
Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
03/27/2026
03/27/2026
Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
03/27/2026
03/27/2026
Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
03/20/2026
BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.
Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione
03/17/2026
03/17/2026
Questi dispositivi sono ideali come interruttori di disconnessione della batteria in varie applicazioni.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8
03/17/2026
03/17/2026
Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
03/17/2026
03/17/2026
Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
03/13/2026
03/13/2026
Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L
03/09/2026
03/09/2026
Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
03/05/2026
03/05/2026
Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
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