Tipi di Semiconduttori discreti
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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
05/12/2026
Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
Littelfuse Diodi TVS AK-FL
Littelfuse Diodi TVS AK-FL
05/04/2026
Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
05/04/2026
Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
05/04/2026
Capacità di potenza di picco dell'impulso pari a 5.000 W, utilizzando una forma d'onda da 10/1000 µs e con dissipazione di potenza di 6,5 W.
Littelfuse SJx08x SCR ad alta temperatura
Littelfuse SJx08x SCR ad alta temperatura
04/24/2026
Tensione fino a 800 V, capacità di corrente di picco fino a 100 A e temperatura nominale di +150 °C.
Littelfuse Triac alternistore ad alta temperatura QVx35xHx
Littelfuse Triac alternistore ad alta temperatura QVx35xHx
04/24/2026
Offre una corrente nominale 35 A ed è disponibile nei pacchetti TO-220AB TO-220 isolato e TO-263.
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04/24/2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X
04/14/2026
Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
04/10/2026
I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x
Vishay Raddrizzatori a recupero rapido RS07x
04/07/2026
Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 800 V.
Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M
Vishay Raddrizzatori ad alta tensione e recupero standard S07x-M
04/07/2026
Raddrizzatori a montaggio superficiale passivati in vetro con VRRM massima compresa tra 100 V e 1.000 V.
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
04/06/2026
MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V
Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V
04/02/2026
Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.
Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P
Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P
03/31/2026
Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.    
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
03/31/2026
Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
03/27/2026
Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.
Infineon Technologies Diodi multiuso per la protezione ESD
Infineon Technologies Diodi multiuso per la protezione ESD
03/27/2026
Questi diodi offrono prestazioni ESD superiori garantendo la massima protezione in un ingombro ridotto.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
03/27/2026
Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza. 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
03/24/2026
Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.
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