R1RW0416DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DGE2LRB1
Price: 10.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

968-R1RW0416DGE2LRB1

N. produttore:

R1RW0416DGE-2LR#B1

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

R1RW0416DGE-2LR#B1 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	SRAM
RoHS::
Dimensioni memoria:	4 Mbit
Organizzazione:	256 k x 16
Tempo di accesso:	12 ns
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Corrente di alimentazione - Max:	130 mA
Temperatura di lavoro minima:	0 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 70 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOJ-44
Confezione:	Tray
Marchio:	Renesas Electronics
Tipo di memoria:	SRAM
Tipo di prodotto:	SRAM
Quantità colli di fabbrica:	18
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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EOL

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TARIC:: 8542324500
USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

SRAM asincrone

Le SRAM asincrone di Renesas Electronics sono basate sulla tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. La tecnologia e le tecniche innovative di progettazione dei circuiti forniscono una soluzione economica per le esigenze di memoria SRAM asincrona ad alta velocità. I circuiti asincroni completamente statici non richiedono alcun clock o aggiornamento per il funzionamento. Renesas fornisce SRAM asincrona in package RoHS comparibile con 6/6 (verde) utilizzando opzioni di package standard del settore.