Renesas Electronics SRAM asincrone
Le SRAM asincrone di Renesas Electronics sono basate sulla tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. La tecnologia e le tecniche innovative di progettazione dei circuiti forniscono una soluzione economica per le esigenze di memoria SRAM asincrona ad alta velocità. I circuiti asincroni completamente statici non richiedono alcun clock o aggiornamento per il funzionamento. Renesas fornisce SRAM asincrona in package RoHS comparibile con 6/6 (verde) utilizzando opzioni di package standard del settore.
La SRAM asincrona (ovvero memoria ad accesso casuale statico asincrona) memorizza i dati utilizzando un metodo statico, in cui i dati rimangono costanti fino a quando l’alimentazione elettrica viene fornita al dispositivo. Questo metodo è diverso dalla DRAM (RAM dinamica), che richiede costantemente l’aggiornamento dei dati in memoria.
Poiché la SRAM asincrona archivia i dati in modo statico, è più veloce e richiede meno potenza rispetto alle DRAM. D’altro canto, la SRAM è creata utilizzando una topologia di circuito più complessa ed è quindi meno densa e più costosa da produrre rispetto alle DRAM. Di conseguenza, la DRAM viene spesso utilizzata come memoria principale per i personal computer. Al contrario, la SRAM asincrona è comunemente utilizzata In applicazioni di memoria più piccole, come memoria cache CPU, buffer del disco rigido, apparecchiature di rete, elettronica di consumo ed elettrodomestici. Le SRAM sincrone utilizzano clock per la lettura e la scrittura, mentre le SRAM asincrone sono generalmente controllate tramite segnali asincroni.
I parametri chiave per la scelta di una SRAM asincrona includono:
Densità: indica il numero di bit che la SRAM asincrona può contenere nella propria memoria. Renesas offre capacità fino a 4 MB.
Larghezza bus: indica il numero di "linee" utilizzate per leggere e scrivere nella memoria. Renesas offre opzioni sia a 8 bit che a 16 bit.
Tensione del nucleo: indica la tensione di alimentazione utilizzata per alimentare la SRAM asincrona. Ciò è generalmente definito dalle guide di alimentazione disponibili nel sistema e spesso ha implicazioni sulla tensione I/O necessaria per leggere e scrivere nella memoria. Renesas offre opzioni standard da 5 V e 3,3 V.
Tensione I/O: indica la tensione utilizzata per l'ingresso e l'uscita dei dati; per alcuni dispositivi è separata dalla tensione del nucleo.
Tempo di accesso: indica il tempo necessario per leggere o scrivere nella memoria. Idealmente, il tempo di accesso della SRAM asincrona dovrebbe essere sufficientemente veloce da tenere il passo con la CPU. In caso contrario, la CPU perderà un certo numero di cicli di clock, il che la rende più lenta. Renesas offre tempi di accesso rapidi fino a 10 ns.