R1RP0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RP0408DGE2PIB1
R1RP0408DGE-2PI#B1

Produttore:

Descrizione:
SRAM SRAM 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS -40TO85C

Ciclo di vita:
Fine vita:
la produzione sta per cessare.
Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Renesas Electronics
Categoria prodotto: SRAM
RoHS::  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
5.5 V
4.5 V
130 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
Marchio: Renesas Electronics
Tipo di memoria: SRAM
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: SRAM
Quantità colli di fabbrica: 22
Sottocategoria: Memory & Data Storage
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

SRAM asincrone

Le SRAM asincrone di Renesas Electronics sono basate sulla tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. La tecnologia e le tecniche innovative di progettazione dei circuiti forniscono una soluzione economica per le esigenze di memoria SRAM asincrona ad alta velocità. I circuiti asincroni completamente statici non richiedono alcun clock o aggiornamento per il funzionamento. Renesas fornisce SRAM asincrona in package RoHS comparibile con 6/6 (verde) utilizzando opzioni di package standard del settore.