AS6C8008B & AS6C8016B Super Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory AS6C8008B & AS6C8016B Super Low Power CMOS SRAM is a low-power CMOS static random access memory. The devices are organized as 524,288 words by 8- or 16-bits. The memory is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Dimensioni memoria
Organizzazione
Tempo di accesso
Tipo di interfaccia
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Corrente di alimentazione - Max
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp - Tray
Scheda dati
110A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp - Tray
Scheda dati
54A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray