Memoria HYPERRAM 2.0 S80KS5122 e S80KS5123

La memoria HYPERRAM™ 2.0 di Infineon Technologies S80KS5122 e S80KS5123 è una DRAM dinamica (DRAM) con auto aggiornamento ad alta velocità, a basso numero di pin e a basso consumo per sistemi integrati ad alte prestazioni che richiedono una memoria di espansione per scopi di scratchpad o buffering. I prodotti HyperRAM supportano le interfacce HYPERBUS™ e Octal xSPI conformi al profilo JEDEC JESD251, che sfruttano le caratteristiche tradizionali delle memorie con interfaccia parallela e seriale, migliorando le prestazioni del sistema e la facilità di progettazione e riducendone i costi. L'architettura a basso numero di pin rende HyperRAM particolarmente adatta alle applicazioni con limiti di potenza e di spazio sulla scheda che richiedono una RAM esterna al chip.

Risultati: 20
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tipo Dimensioni memoria Larghezza bus dati Frequenza di clock massima Package/involucro Organizzazione Tempo di accesso Tensione di alimentazione - Min. Tensione di alimentazione - Max. Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
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Infineon Technologies DRAM SPCM 625A magazzino
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FBGA-24 S80KS5123 Tray
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HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
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33823/02/2026 previsto
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HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 91A magazzino
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HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
33819/03/2026 previsto
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HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
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