MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caratteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza.
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Polarità transistor


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
85A magazzino
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Scheda dati
73A magazzino
1.20027/02/2026 previsto
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Scheda dati
594A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
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510A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
1.597A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Scheda dati
593A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
90A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
60027/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
1.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
99622/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
1.11323/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Scheda dati
84419/10/2026 previsto
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
100In ordine
Min: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
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SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
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SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
Min: 1
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SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
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Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

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