200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Qtà RoHS
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000