MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2

I MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N, livello normale e testati a valanga al 100%. I MOSFET StrongIRFET 2 di Infineon sono ottimizzati per una vasta gamma di applicazioni. I MOSFET offrono una gamma VDS da 80 V a 100 V e una RDS(on) da 2,4 mΩ a 8,2 mΩ.

Risultati: 74
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
2.238A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
113A magazzino
1.00028/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
1.820A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
2.386A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Scheda dati
2.809A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 95 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
1.736A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
52A magazzino
2.00005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
580A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
64A magazzino
80023/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
997A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
1.121A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
937A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
1.031A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
Scheda dati
377A magazzino
1.00025/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
Scheda dati
1.657A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 93 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Scheda dati
45A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
48A magazzino
80023/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
53A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 187 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
124A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
978A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
2.00002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
Tempo di consegna 15 settimane
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel