MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2

I MOSFET di potenza StrongIRFET™ 2 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N, livello normale e testati a valanga al 100%. I MOSFET StrongIRFET 2 di Infineon sono ottimizzati per una vasta gamma di applicazioni. I MOSFET offrono una gamma VDS da 80 V a 100 V e una RDS(on) da 2,4 mΩ a 8,2 mΩ.

Risultati: 74
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
1.302A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
1.401A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 98 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
959A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 139 A 4.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
1.089A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Scheda dati
5.997A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 210 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
659A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
1.224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
768A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 126 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
505A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 259 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Scheda dati
636A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Scheda dati
624A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Scheda dati
399A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Scheda dati
3.890A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Scheda dati
3.908A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 50 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Scheda dati
3.850A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 3 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
873A magazzino
1.80002/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
3.702A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Scheda dati
1.622A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Scheda dati
1.714A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Scheda dati
2.068A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
2.280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 294 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
1.735A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Scheda dati
4.886A magazzino
4.00026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Scheda dati
1.294A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Scheda dati
3.736A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape