EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

65-EPC2361

N. produttore:

EPC2361

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

EPC2361 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	28 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Tecnologia:	GaN
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	35,200 mg

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Scheda dati

EPC2361 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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EPC2361

Produttore: EPC

Descrizione: GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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