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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWERNEW
Scheda dati
886A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
Scheda dati
753A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
Scheda dati
6.349A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Scheda dati
773A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
180A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
242A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
243A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4
Scheda dati
93A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
998A magazzino
2.00018/03/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
1.274A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
1.066A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
Scheda dati
1.641A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
69A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
155A magazzino
500In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
1.081A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
243A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
947A magazzino
1.00024/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
99A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Scheda dati
61A magazzino
24015/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
194A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
Scheda dati
24018/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel