S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Serie
Dimensioni memoria
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Lettura corrente attiva - Massima
Tipo di interfaccia
Organizzazione
Larghezza bus dati
Tipo di temporizzazione
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
Infineon Technologies S29GL01GS11TFB023
Infineon Technologies NOR Flash Nor
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS12DHVV13
Infineon Technologies NOR Flash NOR
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 2.200
Mult.: 2.200
Nastrati: 2.200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel