U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Risultati: 43
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
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18.737A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
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5.865A magazzino
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Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
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2.507A magazzino
3.00010/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
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67A magazzino
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V
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2.763A magazzino
9.00002/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V, 20 V 500 mA 120 mOhms, 210 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
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1.738A magazzino
24.00022/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA, 330 mA 460 mOhms, 950 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 1.23 nC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
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6.687A magazzino
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A, 1.5 A 247 mOhms, 430 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 300 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
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5.473A magazzino
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Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V
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5.315A magazzino
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 145 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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5.340A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
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4.482A magazzino
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Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package
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225A magazzino
9.00020/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
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3.026A magazzino
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Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA 3.6 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package
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2.711A magazzino
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Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 213 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
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3.00006/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 87 mOhms, 87 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 7.5 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V
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Non disponibile a magazzino
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Si SMD/SMT ES-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package
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Non disponibile a magazzino
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Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.9 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm
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Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape