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SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 3.2 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT3D5R10MEB

N. produttore:

SGT3D5R10MEB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

SGT3D5R10MEB Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	FCLGA-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	201 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	6.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	255 W
Modalità canale:	Enhancement
Tecnologia:	GaN
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.84 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	6.08 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	5.12 ns
Tipico ritardo di accensione:	2.56 ns
Peso unità:	78 mg

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Scheda dati

SGT3D5R10MEB Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Non disponibile
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

Il transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB di STMicroelectronics è un transistor e-mode da 100 V e 201 A che offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce. Questo transistor presenta una frequenza di commutazione elevata, consentendo la realizzazione di progetti compatti ad alta densità di potenza, con componenti passivi ridotti e una gestione termica semplificata. Il transistor SGT3D5R10MEB opera con una resistenza di drain R_DS(ON) tipica di 2,7 mΩ e un intervallo della temperatura di giunzione di funzionamento da -40 °C a +150 °C. Questo transistor PowerGaN è ideale per convertitori CC/CC, driver per motori e sistemi solari MPPT.

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	1,52 €	152,00 €
	1,27 €	635,00 €
	1,18 €	1.180,00 €
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	1,10 €	3.300,00 €
	1,01 €	6.060,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

SGT3D5R10MEB

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor Completa il tuo progetto

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