FET SiC 750 V Gen 4 UJ4C/SC

I FET SiC UJ4C/SC 750 V Gen 4 di Qorvo sono una serie ad alte prestazioni che offre le migliori prestazioni del settore che riducono le perdite di conduzione e aumentano l’efficienza a velocità maggiore, migliorando il rapporto costo-efficacia generale. Disponibile nelle opzioni da 5,4 mΩ a 60 mΩ, la serie Gen 4 Si basa su una configurazione a cascode unica, in cui un JFET SiC ad alte prestazioni è integrato in co-package con un SiC ottimizzato a cascode per produrre un dispositivo SiC con gate drive standard. Le caratteristiche standard di azionamento del gate dei FET UJ4C/SC 750 V consentono la funzionalità di “sostituzione drop-in”. I Progettisti possono migliorare in modo significativo le prestazioni del sistema senza modificare la tensione di azionamento del gate sostituendo IGBT Si esistenti, FET Sì, FET SiC o dispositivi super-junction Si con i FET Qorvo UJ4C/SC.

Risultati: 29
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 688A magazzino
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 1.247A magazzino
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7 812A magazzino
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7 490A magazzino
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4 650A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3 595A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO263-7 764A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-4 843A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-3 558A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-3 2.130A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-4 1.026A magazzino
Min: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-3 472A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1.448A magazzino
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 1.424A magazzino
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 1.725A magazzino
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2.815A magazzino
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2.844A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3.950A magazzino
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SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO263-7 904A magazzino
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SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 347A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1.271A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-3 224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-4 1.527A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 688A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 5A magazzino
60007/08/2026 previsto
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET