Transistor integrati con resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN

I transistor incorporati (BRT) del resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 e ottimizzati per applicazioni di commutazione, circuito inverter, interfacciamento e circuito driver. Il resistore di polarizzazione è integrato, riducendo il numero di parti esterne richieste e diminuendo le dimensioni e i tempi di assemblaggio del sistema. I resistori di polarizzazione automotive RN di Toshiba offrono un'ampia gamma di resistenze per adattarsi a vari progetti di circuiti.

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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM)
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323
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3.830A magazzino
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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8.830A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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2.420A magazzino
6.00018/05/2026 previsto
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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5.962A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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1.254A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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4.629A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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6.000A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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7.757A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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8.000A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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2.145A magazzino
8.00024/04/2026 previsto
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