Transistor integrati con resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN

I transistor incorporati (BRT) del resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 e ottimizzati per applicazioni di commutazione, circuito inverter, interfacciamento e circuito driver. Il resistore di polarizzazione è integrato, riducendo il numero di parti esterne richieste e diminuendo le dimensioni e i tempi di assemblaggio del sistema. I resistori di polarizzazione automotive RN di Toshiba offrono un'ampia gamma di resistenze per adattarsi a vari progetti di circuiti.

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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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35.170A magazzino
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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9.284A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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2.531A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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2.730A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5.985A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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5.644A magazzino
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4.724A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7.700A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5.762A magazzino
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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32.535A magazzino
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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5.961A magazzino
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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6.000In ordine
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Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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9.256A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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6.045A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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11.246A magazzino
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