Diodi a barriera SCHOTTKY ad alta efficienza YQx

I diodi Schottky a barriera ad alta efficienza YQx di ROHM Semiconductor sono progettati per migliorare il compromesso tra bassa VF e bassa IR. Nonostante i bassi valori di VF, questi dispositivi offrono prestazioni stabili anche quando sottoposti a temperature più elevate. Questi diodi a barriera SCHOTTKY di tipo a stampo ad alta efficienza presentano strutture MOS a trincea. I diodi a barriera SCHOTTKY YQx offrono tensione inversa di 100 V, alta affidabilità e basse capacitanze. Questi dispositivi sono ideali per alimentatori a commutazione, diodi a ruota libera e applicazioni di protezione da polarità inversa.

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Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
Tecnologia
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
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2.181A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT PMDE-2 Single Si 3 A 100 V 880 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 60A SM SKY BARRI
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693A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-263FL-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 100 V 700 mV 150 A 200 uA + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 60A SM SKY BARRI
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698A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-263FL-3 Dual Anode Common Cathode Si 60 A 100 V 700 mV 150 A 200 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
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6.031A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 5 A 100 V 580 mV 100 A 50 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
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7.578A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
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7.594A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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3.980A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 12 A 100 V 630 mV 220 A 90 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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3.668A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 12 A 100 V 630 mV 220 A 90 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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5.672A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 100 V 640 mV 230 A 100 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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4.095A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 100 V 640 mV 230 A 100 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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4.820A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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1.900A magazzino
MouseReel disponibile
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 650 mV 150 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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2.000A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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1.988A magazzino
Min: 1
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
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3.852A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 3 A 100 V 580 mV 80 A 30 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
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3.900A magazzino
Min: 1
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 5 A 100 V 720 mV 80 A 25 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
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3.955A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 5 A 100 V 720 mV 80 A 25 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
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3.867A magazzino
Min: 1
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 8 A 100 V 630 mV 140 A 60 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
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3.905A magazzino
Min: 1
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 8 A 100 V 630 mV 140 A 60 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 1A SM SKY BARRI
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1.902A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT PMDE-2 Single Si 1 A 100 V 660 mV 25 A 6 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
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400A magazzino
2.50022/04/2026 previsto
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Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 2A SM SKY BARRI
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2.376A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 2 A 100 V 600 mV 70 A 15 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 2A SM SKY BARRI
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2.817A magazzino
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Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 2 A 100 V 600 mV 70 A 15 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 2A SM SKY BARRI
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2.001A magazzino
3.00022/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 2 A 100 V 710 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 2A SM SKY BARRI
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1.362A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128FL-2 Single Si 2 A 100 V 710 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape