Moduli IGBT PIM da 1.200 V

I moduli IGBT PIM da 1200 V di Infineon offrono la tecnologia dei diodi TRENCHSTOP™ IGBT7 e EC7 basata sulla più recente tecnologia a trincea a micro-pattern. Questa tecnologia offre perdite molto ridotte e un elevato livello di controllabilità. Il concetto di cella è caratterizzato dall'implementazione di celle a trincea parallele separate da mesa sub-micron rispetto alle celle a trincea quadre precedentemente usate. Il chip è appositamente ottimizzato per applicazioni di azionamento industriale e sistemi di energia solare, il che significa perdite statiche molto più basse, maggiore densità di potenza e commutazione più soft. Un aumento significativo della densità di potenza può essere ottenuto aumentando la temperatura di funzionamento massima consentita fino a 175°C nei moduli IGBT PIM da 1200 V di Infineon.