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FP25R12W1T7BOMA1

Name: Infineon FP25R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP25R12W1T7BOMA1
Price: 36.89 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-FP25R12W1T7BOMA1

N. produttore:

FP25R12W1T7BOMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli IGBT 1200 V, 25 A PIM IGBT module

Scheda dati:

FP25R12W1T7BOMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	36,89 €	36,89 €
	28,00 €	280,00 €
	24,06 €	2.887,20 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli IGBT
Prodotto:	IGBT Silicon Modules
Configurazione:	3-Phase Inverter
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.6 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	25 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	100 nA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di prodotto:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT7
Quantità colli di fabbrica:	24
Sottocategoria:	IGBTs
Tecnologia:	Si
Nome commerciale:	EasyPIM
Alias n. parte:	FP25R12W1T7 SP005351611

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Moduli IGBT PIM da 1.200 V

I moduli IGBT PIM da 1200 V di Infineon offrono la tecnologia dei diodi TRENCHSTOP™ IGBT7 e EC7 basata sulla più recente tecnologia a trincea a micro-pattern. Questa tecnologia offre perdite molto ridotte e un elevato livello di controllabilità. Il concetto di cella è caratterizzato dall'implementazione di celle a trincea parallele separate da mesa sub-micron rispetto alle celle a trincea quadre precedentemente usate. Il chip è appositamente ottimizzato per applicazioni di azionamento industriale e sistemi di energia solare, il che significa perdite statiche molto più basse, maggiore densità di potenza e commutazione più soft. Un aumento significativo della densità di potenza può essere ottenuto aumentando la temperatura di funzionamento massima consentita fino a 175°C nei moduli IGBT PIM da 1200 V di Infineon.

Discreti e moduli IGBT7 TRENCHSTOP™

I moduli e i discreti IGBT7 TRENCHSTOP™ di Infineon Technologies sono progettati per gli azionamenti a velocità variabile. Si potrebbe risparmiare il 20% dell'energia o 17 milioni di tonnellate di CO₂ se solo la metà di tutte le unità industriali avesse il controllo della velocità elettrica. Infineon facilita il passaggio con la tecnologia TRENCHSTOP IGBT7.

Modulo IGBT EasyPIM™

Il modulo IGBT EasyPIM™ di Infineon Technologies è un modulo IGBT PIM del raddrizzatore d'ingresso a 3 fasi con IGBT7 TRENCHSTOP™, diodo EC7 controllato da emettitore e tecnologia NTC/PressFIT. Questo modulo presenta una controllabilità migliorata di dv/dt, migliore morbidezza FWD, perdite di commutazione ottimizzate e robustezza del corto circuito di 8µs. EasyPIM (modulo integrato di potenza) ha dimensioni estremamente ridotte, caratteristica che contribuisce a raggiungere una maggiore densità di potenza. Questo modulo riduce i costi di sistema e le perdite per soddisfare i requisiti di efficienza energetica. Le applicazioni tipiche includono convertitori ausiliari, aria condizionata, servomotore e sistemi di aria condizionata, riscaldamento e ventilazione (HVAC).