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SGT1D5R10MEA

Name: STMicroelectronics SGT1D5R10MEA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT1D5R10MEA
Price: 7.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT1D5R10MEA

N. produttore:

SGT1D5R10MEA

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor

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SGT1D5R10MEA Scheda dati (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	FCLGA-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	501 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	15.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	735 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7.6 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	7.9 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	15.7 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.2 ns
Peso unità:	78 mg

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Scheda dati

SGT1D5R10MEA Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Non disponibile
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor is a 100V, 501A e-mode transistor that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. This transistor features a high switching frequency, enabling compact, high‑power‑density designs with small passives and simplified thermal management. The SGT3D5R10MEB transistor operates at 1.1mΩ typical R_DS(ON) drain resistance and -40°C to +150°C operating junction temperature range. This PowerGaN transistor is ideal for DC-DC converters, motor drivers, and solar system MPPT.

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	7,13 €	7,13 €
	5,02 €	50,20 €
	4,06 €	406,00 €
	3,61 €	1.805,00 €
	2,91 €	2.910,00 €
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	2,91 €	8.730,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

SGT1D5R10MEA

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor Completa il tuo progetto

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