MOSFET OptiMOS™ 5 75 V-100 V per il settore automobilistico

I MOSFET OptiMOS™ 5 da 75 V a 100 V per il settore automobilistico di Infineon Technologies   sono progettati per applicazioni ad   alte prestazioni e presentano una qualifica estesa che va oltre gli standard AEC-Q101. Il dispositivo a canale N in modalità di potenziamento combina un design robusto con una tecnologia avanzata, integrando le caratteristiche del FET lineare (LINFET) e del FET a bassa RDS(on) (ONFET) in un unico package. Questa configurazione a doppio gate fornisce pin di gate dedicati per ciascun MOSFET, migliorando la flessibilità e il controllo nella progettazione dei circuiti. Il FET lineare vanta un'area operativa sicura (SOA) migliorata e capacità di parallelizzazione superiori, garantendo un funzionamento lineare affidabile in condizioni variabili. I MOSFET OptiMOS™ 5 da 75 V a 100 V di Infineon Technologies   funzionano in un ampio intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e +175 °C e sono disponibili in un package PG-HSOF-8-2.