MOSFET CoolSiC™ a trincea SiC G1 Automotive da 1200 V

I MOSFET trench SiC G1 1200 V per il settore automotive CoolSiC™ di Infineon Technologies offrono maggiore densità di potenza, efficienza superiore e migliore affidabilità. La gamma granulare presenta MOSFET SiC 1.200 V in package TO-247-3pin, TO-247-4pin e D2PAK-7pin con R_{DS (on)} che varia da 8,7 mΩ a 160 mΩ e ID a +25 °C, massimo da 17 A a 205 A. L’alta densità di potenza, l’efficienza superiore, le capacità di carica bidirezionale e le significative riduzioni dei costi di sistema rendono i moduli MOSFET CoolSiC™ da 1.200 V per il settore automotive di Infineon Technologies una scelta ideale per caricatori su scheda e applicazioni CC-CC. I componenti TO- e SMD sono inoltre dotati di pin sorgente Kelvin per prestazioni di commutazione ottimizzate.